全球电子产业复苏，促进了全球电脑和手机市场的生产发展，芯片产业和存储市场也因电脑和手机的增长而受益；去年英特尔占据全球处理器芯片市场80.7%的份额，同比增长1.1%，其业绩达到了历史最好水平。据4月16日国外消息报道，英特尔和美光公司周四推出一种新型闪存存储制造技术，这一技术使电子存储芯片设计更加密集化，有利于缩小产品占据的空间。此款20纳米级的NAND芯片产品估计可在今年下半年大量生产。
英特尔美光 NAND存储芯片
据了解，英特尔和美光公司预计，在2011年下半年推出16G的NAND闪存的新芯片产品。英特尔和美光公司曾经合作制造的AND快闪存储芯片很多年，具有长期的合作伙伴关系。NAND闪存常用于制造智能手机或平板电脑。先前版本的芯片为25纳米级，英特尔表示升级至20纳米后，不仅可维持同等级运算性能和耐久度，储存空间更是多出50％大小。
英特尔美光 20nm级NAND存储芯片
据美光的NAND市场部总裁凯文基尔伯克宣称：持续缩减NAND的尺寸，确实为市场带来新应用程序空间在现有产品格式下，我们拥有更多空间放入 存储，或能以更低的成本价位，保持同等存储规格。目前的8G的NAND闪存芯片采用新款20纳米级技术，可减少约30-40％的体积，也让平板电脑和智能手机制造商节省空间，可以使用作额外功能改 善，例如加大电池续航力，扩大屏幕，增添芯片来支持新的功能等等。
对此，业内人士分析认为，全球电子产业复苏，芯片产业和存储市场也因电脑和手机的增长而受益；英特尔和美光公司周四推出20nm制程NAND闪存芯片产品，站在了NAND闪存制造技术的最前沿，新的20nm制程将用于生产8GB容量的MLC NAND闪存设备，这必将加剧全球存储芯片市场的竞争。
