全球五大半导体存储器厂商（韩国三星电子、日本东芝、韩国海力士半导体、美国美光科技以及日本尔必达存储器）的2011年1～3月（美光为2010年12月～2011年2月）季度结算报告全部公布。另外，5家企业2010年度（美光为2009年9月～2010年8月，三星和海力士为2010年1～12月，东芝和尔必达为2010年4月～2011年3月）的实际设备投资额，以及2011年度（美光为2010年9月～2011年8月，三星和海力士为2011年1～12月，东芝和尔必达为2011年4月～2012年3月）投资计划也都公开。

    按照美元换算的业绩方面，受DRAM行情影响较小的东芝继续保持出色业绩。该公司的销售额同比（YoY）和环比（QoQ）均实现两位数增长，营业利润的盈利幅度也环比增加了一倍。在DRAM厂商中，按照业绩趋势可以分为三星、海力士、美光和尔必达这两个阵营。前者虽然确保了盈利，但业绩或持平或趋于恶化。三家公司的销售额均环比持平（只有美光同比实现两位数增长）。营业利润也扭亏为盈，海力士环比微增，三星微减，美光减半。尔必达的业绩情况则与这三家公司不同。虽然出现了营业亏损，但业绩趋于改善。销售额为同比大幅减少30％，环比也出现减少，营业利润持续亏损。不过，其亏损幅度大幅缩小至环比减少226亿日元，业绩得到了改善。

    2010年度的实际设备投资额，按照从多到少的顺序分别为三星110亿美元（其中，78亿美元用于存储器）、海力士26亿美元、东芝21亿美元、尔必达13亿美元、美光10亿美元。不过，从2010年3月～2011年2月来看，美光投资了22亿美元。根据实际设备投资额相对于销售额的比例，上述五家公司可以分为两个阵营。三星、海力士、尔必达这三家公司为30％左右的高水平。而东芝和美光则降至10％左右（从2010年3月～2011年2月来看，美光为24％）。

    2011年度的设备投资计划方面，虽然三星的设备投资计划总额比上年减少，但仍维持在94亿美元（其中有53亿美元用于存储器）的高水平。之后是海力士的31亿美元、美光的24～29亿美元。海力士的设备投资计划比上年度大幅增加1.2倍、美光比上年度大幅增加2.5～3倍。在2011年度上半年（2010年9月～2011年2月），美光已经支出了相当于全财年设备投资计划一半的14亿美元，今后仍保持该水平设备投资的可能性很大。东芝和尔必达这两家日本厂商减少了设备投资。东芝为比上年微减的20亿美元、尔必达为比上年减少30％的10亿美元。尔必达计划扩大与台湾力晶科（PowerchipTechnology）的合作，由此来提高晶圆处理能力，因此将致力于以30nm转换为中心的微细化投资（参阅本站报道）。