在《国家集成电路产业产业发展推进纲要》、《中国制造2025》等一系列政策计划的落实和集成电路产业投资基金的大力投入之下，已为存储器产业在市场、政策及资金等方面奠定良好的基础，故2015至2016年中国半导体行业将以存储器为发展重点，最主要是存储器与微处理器是发展半导体业不能或缺的领域。

　　特别是存储器的发展不仅是因为其处于集成电路产业的核心地位，更是基于信息安全的考虑，主要是因为唯有在存储器、CPU等核心芯片领域实现自主可控能力（包括核心技术、关键零部件、各类软件全部国产化，自己开发和制造），才能确保国防与信息安全，更何况存储器将在新一代信息技术如物联网、大数据、云端运算等中扮演重要的角色。

　　事实上，有鉴于中国智能型手机、平板计算机、智能可穿戴设备、服务器等消费电子产品在全球的地位稳步提升，对DRAM、NAND Flash等存储器的市场需求也随之提升，预计2016年中国大陆存储器所需的市场规模将达到近2800亿人民币，但目前大陆自给率几乎为零，反映未来进口替代空间大，此成为中国切入存储器市场最大的优势。

　　中国发展存储器产业尚有国家战略、各项配套做为支撑，其中除官方将主导产业垂直整合，也就是企业间将通过共同研发、平台共享、供销协议等方式加强联系、共同分担风险之外，更是积极挖角国际级的存储器管理人才。

　　至于厂商的发展动态方面，除武汉新芯宣布进军NAND领域，计划推出3D-NAND产品拉近与国际大厂的距离之外，联电也将与晋江市政府合作，打造中国的DRAM产业，并以利基型存储器作为切入点，而未来联电初期将以台湾作为研发基地，南科则成联电与晋江合作案的研发重镇，显示联电布局中国市场相当积极，而晋江政府在中国政府的政策与资金支持，并借助联电与南科的技术优势、人才经验，打造另类两岸合作DRAM事业模式。

　　借由上述可知，大陆在不久的将来将开始加入技术专利垄断、市场寡头成型、产业投资巨大、周期性波动剧烈的全球存储器竞争行业中，来实现存储技术及产品的自主可控能力，也使全球存储器市场供需与竞争态势增添不确定因素。

　　值得注意的是，由于全球NAND Flash当前仍是由国际大厂所掌握，也布下绵密的专利网，因此在武汉新芯、同方国芯、万亿基科技（合肥Elpida）尚未取得上述主要国际大厂的技术授权合作，仅有武汉新芯在2015年初与Spansion合作，展开3D NAND Flash技术开发，目前已完成8层NAND Flash芯片之下，未来中国能否顺利从3D NAND Flash切入来架构整体存储器产业，仍有待考验。