你曾经有过因为电脑运行速度太慢而想打穿屏幕的冲动吗？又或者你发现自己手机加载某一简单应用都需要很长时间吗？幸运的是，今后的科技消费者或将不再会受到这些问题的困扰，因为IBM本周发明了一项革命性的新技术，这一技术的问世会将电子设备的运行、载入速度大大提高。
IBM当地时间周二宣布了自己在所谓“相变化内存”(Phase Change Memory,PCM)技术上取得的重大进步，而这一技术进步则将帮助我们突破现有电子设备运行速度的瓶颈。
事实上，“相变化内存”多年来一直处于研发阶段，但IBM认为这项技术的成本已降至了可被消费者电子设备接受的范围内。同时，这一技术对于诸如Facebook这些需要迅速访问大量信息的企业也会带来巨大帮助。
据悉，IBM研究员哈里斯-珀奇迪斯(Haris Pozidis)在当时间周二的巴黎存储技术大会上首次公布了公司取得的这一成绩，而他则相信“相变化内存”会在2017年正式投入商用。
简单来说，“相变化内存”需要对芯片内特殊微型玻璃材料进行电加热，而这些材料中每个单元的降温方式则决定了芯片中所保存的数据大小。比如，在逐步降温的过程中，材料原子将会呈晶格式排列。而在迅速降温时，材料原子的排列将杂乱无章。不过，IBM已经对这项技术进行了改进以确保其能够存储更多的数据位。而早在2011年，IBM就成功实现了在单个单位中保存两位数据。
在本周巴黎存储技术大会上，珀奇迪斯宣布“相变化内存”单位已可以保存三位数据。而在一块芯片中保存更多的数据就意味着这一技术成本的下降，因此其相较于传统存储技术也更具竞争优势。
平心而论，我们大多数人都将计算机、电子设备在近年来取得的逐步进步认作是理所应当的事情。但事实上，无论是笔记本变得更薄还是网络速度变得更快的背后都凝聚了无数人的辛勤劳动和付出。而且，将一项新技术正式投入商用也不是一件简单的事情。
目前，我们使用的手机和PC设备通常会同时使用两种技术保存数据，它们分别是能耗较大的DRAM动态存储和存取速度较慢、成本较低、即便在断电情况下也能保存数据的闪存。不过，“相变化内存”结合了DRAM和闪存的优点。具体来说就是，DRAM动态存储的存取速度是“相变化内存”的5到10倍，但后者的存取速度却是闪存的70倍左右。因此，使用“相变化内存”技术的手机应用加载速度将比闪存更快。
IBM预计，“相变化内存”的未来成本将会低于DRAM，甚至可以降至与闪存相当的水平。当然，要想让“相变化内存”技术的制造成本降低至闪存的水平也并非易事。因为如今依旧有许多厂商在继续改进闪存技术，且取得了不错的成效。其中一个最为明显的例子就是，第一代iPad的最大存储容量仅为64GB，而最新iPadPro的最大内存已经提高至了256GB级别。
