而在移动存储芯片价格上，更是各DRAM厂争相抢进的目的之一，以目前市场主流的4Gb及8Gb的颗粒来看，目前报价约在14美元与28美元间，平均1Gb单价约3.5美元，比目前标准型DRAM 1Gb的0.88美元相比，高出将近四倍的价格，虽然行动式内存产出量在12吋晶圆仅有标准型DRAM的80%，但制作技术门坎较高，目前各DRAM厂仍能维持不错的利润。 由于移动存储芯片具有高效能低耗电的特性，可以大幅延长手持式设备的使用时间，加上智能型手机需求与平板计算机的兴起，2011年移动存储芯片成长将超过100%，占全球DRAM产出的18%，成长居各DRAM产品之冠，智能型手机如两年前iPhone 3G搭载128MB成长至今iPhone4搭载512MB的内存，由Google主导的Android系统亦不遑多让，主流机种内存需求已来到1GB，平板计算机方面更是百家争鸣，除了Apple的iPad2内存尚待确认外，无论是HP的Touch Pad或是Motorola的XOOM乃至于RIM的Playbook，内存皆是搭载1GB，明年内存规格更上看1.5GB甚至2GB。
而在移动存储芯片价格上，更是各DRAM厂争相抢进的目的之一，以目前市场主流的4Gb及8Gb的颗粒来看，目前报价约在14美元与28美元间，平均1Gb单价约3.5美元，比目前标准型DRAM 1Gb的0.88美元相比，高出将近四倍的价格，虽然行动式内存产出量在12吋晶圆仅有标准型DRAM的80%，但制作技术门坎较高，目前各DRAM厂仍能维持不错的利润。
再者从移动存储芯片市场现况来分析，去年分别由三星、海力士、美光及尔必达这四家囊括近九成的市场，其中韩系厂商市占率更高达七成，前三家由于身兼FLASH颗粒生产，故多以MCP出货为大宗，其中三星有望于今年第二季可以量产单颗原生4Gb颗粒，并采用35nm制程，竞争力有望进一步提升，而尔必达仍以单出移动存储芯片为主，但未来能否以MCP方式出货，端看自行研发的SLC颗粒而定，美光目前出货比重仍不高，但在华亚科加持下，服务器用内存及手机用记忆卡有机会于下半年大量产出。而在台系厂商方面，目前以华邦耕耘最久，虽然目前产品皆以512Mb以下小容量为主，但去年第四季出货营收已达华邦的29%，南科则是在近期移动存储芯片相当积极，目前正式积极地验证当中，有机会于下半年进入量产的行列。
