3月20日早间消息，光迅科技昨日晚间发布了2014年年报，年报显示2014年实现营收24.33亿元，同比增长14.08%；净利润1.44亿元，同比下降11.86%，净利润下降主要是2014年获得的政府补助收入大幅减少。研发费用为2.42亿元，占销售额的10%；总资产35.86亿元，同比增长35.62%。

　　分业务来看，传输类销售收入10.40亿元，同比增长16.94%；数据和接入类销售收入7.19亿元，同比增长7.21%；子系统等其他产品收入9.39亿元，同比增长49.36%。

　　分地区看，光迅科技海外业务营收6.51亿元（约合1.05亿美元），同比增长20.07%，是中国第一家海外销售突破1亿美元的光器件厂商。凭借在海外市场的强势表现，光迅科技稳居全球光器件厂商前六名的位置。

　　年报还显示，光迅科技2014年销售各类器件模块共7016万只，同比增长21.26%。

　　知识产权方面，光迅科技2014年共申请专利128项，授权专利72项，专利申请年增长率保持在20%以上。专利结构进一步调整优化，发明专利占到60%，国外专利达到8%。全年牵头及参与制定国家标准、行业标准和研究课题等共计27项，全年科技创新收入和科技成果转化收入占营业收入比达28%。

　　光迅科技研发资金主要投在了100G/400G、混合集成封装、硅光集成、光互连技术、光交叉技术、传感等领域，并在2014年实现了核心芯片、高密并行封装、相干调制技术等关键技术的突破。在具体应用上，通过结构工艺调整，激光器芯片成品率得到较大提高；100G光通信系统用系列光器件紧跟客户需求，已形成产品族；依托MEMS平台基础，智能MEMS OSW得到批量释放。其重点建设的有源COB工艺平台，也具备了批量生产能力。