Texas RamSan-70，代号Gorilla，是容量为900GB的SLC SSD，提供2GBps带宽，采用了Toshiba 32NAND 闪存芯片，达到330,000 IOPS(每秒输入输出)随机读取性能。 为了管理这900GB闪存空间，TMS使用PowerPC CPU 和field-programmable gate arrays(FPGAs)构建了自己独有的闪存控制器。通过板载处理器实现频繁的写操作和板载RAIN操作(redundant array of independent NAND)。

　　Micron P320h，虽然在容量上不能和RamSan 70相比，却能达到令人折服的读取I/O性能。Micron说这个小恶魔可以传递750000随机读取IOPs，这个数据令人咋舌。Texas RamSan-70在写入IOPS数据上与Micron P320h相差无几，RamSan-70达到400,000 IOPS，Micron写入IOPS达到341,000。无论是RamSAN还是Micron P320h，都支持7+1RAIN数据保护。我不知道Micron P320h的读取性能和写入性能为何如此的不匹配。

　　Micron和TMS新型闪存卡不仅与Fusion-io iodrive 相互竞争，同时也与LSI的warpDrive、Virident TachION、以及EMC的闪电项目构成了竞争关系，甚至有可能和英特尔的目标市场有所重合。目前看来，这些厂商在争夺对几毫秒延时也十分敏感的高端用户，无论这些用户使用SAS、SATA还是FC接口。

　　因为Micron的垂直集成能力，所以美光进入该市场影响巨大。无论是Texas，LSI，virident还是Marvell都必须从Toshiba或者Samsung买入NAND芯片，而在英特尔的合资企业中Micron却有能力制造他们自己的NAND。当他们进入该市场的时候，采用自产NAND的Micron和intel可用低价削减 Fusion-io 和其他厂家的市场位置，并从中赢利。

　　不过我们目前大部分应用并未对PCIe接口的闪存加速卡进行优化。Facebook的技术开发能够基于最佳平台上开发代码，但是如果你在企业it部门的核心，你的模式是构建平台去支持运用程序，而不是反其道行之，因此，如果你的应用并不适于用闪存卡加速，你需要对程序有所改变。

　　为了应用PCIe的大容量闪存空间，我们需要在标准操作系统，应用层和闪存之间的实现一个翻译层。最好的实现技术是像EMC闪电项目，使用PCIe闪存作为写入磁盘的缓存。由于直写式高速缓存始终保持后端SAN数据更新，某些基于共享存储的功能仍然有效，当然，闪存对主机来说依然是本地存储空间，所以从一个主机到另一个主机的vMotion会增加后端存储网络的延时，直到目标主机从后端存储读取数据加载到本地高速缓存上。

　　Marvell Dragonfly PCIe闪存卡可与Marvell缓存驱动程序联合运作，构建一个完整的缓存解决方案，IO Turbine Accelio 由于硬件独立性和使用了闪存存储作为vSphere 服务端而更有意思。

　　不过用户仍然期待在可接受价格范围内出现合适的解决方案，某些用户应用并不需要300,000或者100,000 IOPS。笔者目前正在寻找的，是使用价格范围在$1000到$1500之间的，针对中小企业推出的闪存解决方案，类似于intel、OCZ或者prosumer SSD。这样，我可以在IO敏感型应用中使用6块2TB的SSD来替代20-50块15K转传统的磁盘驱动器，在没有任何的容量损失的情况下仍然达到6,000 IOPs，目前，包括Marvell，nVelo和intel，已经有多家厂商推出桌面和企业级闪存方案，我希望不久之后可以看到相关产品。

　　我期待很快能看到联合本地和共享SSD的vMotion解决方案，并能够在vMotion从一个主机到另一个主机上转移工作负载的时候，能够自动实现闪存的写快照和用缓存数据填充Flash空间。闪存，应用感知存储系统现在和以后将会炙手可热。