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IBM新存储技术密度超NAND闪存150倍
2012-01-26 11:04:02 来源:CBSi中国·PChome.net 作者:【
关键词:闪存 NAND 存储 IBM
 
IBM Research旗下的Almaden研究中心的研究员们将1个比特的数据储存到了12个原子中,这种存储技术的密度比NAND闪存技术大了150倍。

  IBM Research旗下的Almaden研究中心的研究员们将1个比特的数据储存到了12个原子中,这种存储技术的密度比NAND闪存技术大了150倍。

  他们利用抗磁现象让12个原子构成一个稳定团体,这种稳定团体能够将属性保持数个小时,不会受相邻团体的影响。1字节需要96个原子,也就是说,如果要储存“Think”这个字,需要5个模块,每个模块由96个原子构成。

 

  IBM希望实现12原子构成的存储模块

  那些原子可以通过扫描隧道显微术来控制,整个工作需要在一定的低温环境下进行。只有在低于Néel温度下才会出现抗磁效应,具体温度随所用材料的不同而不同。 在Neel温度以上,抗磁效应就消失了。Néel温度是以开氏温度定义的,在开氏温度中,水的冰点温度为273.15K。

  由于抗磁效应的存在,一个原子的磁矩会指向与相邻原子相反的方向,一组原子都表现出这种行为就会构成一种有序的图案。磁矩通常会受到原子中的电子的自旋的影响,如果改变电子的自旋方向,就可以改变磁矩。IBM的科学家们利用这种效应开发出了抗磁存储技术。

  IBM表示,利用这种技术储存的数据量是传统硬盘储存的数据量的100倍,这里指的是媒体表面存储密度而非硬盘外壳。这是一项振奋人心的成绩,但是还需20年才能被应用于实际生产。 这项技术非常吸引人,但是从产品角度来说,它在很长很长一段时间里都不可能实现。

      

责任编辑:admin
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